|
S ynchronous Dynamic Random Access Memory ( SDRAM )
SDMAM ที่พัฒนาในทางธุรกิจมีอยู่ 3 แบบคือ
- SDRAM PC 66 BUS 66 MHz
- SDRAM PC 100 BUS 100 MHz
- SDRAM PC 133 BUS 133 MHz
หน่วยความจำ SDRAM ในรูปแบบ DIMM ( Dual in Line Memory Module ) ซึ่งเคยคุ้นตากันดี เพียงแต่เราเข้าใจอะไรผิดไป เช่นเราเข้าใจว่าหน่วยความจำแบบ SDRAM นั้นจะต้องเป็นแผงและต้องมีขาทั้งหมด 168 ขา ซึ่งความเป็นจริงแล้ว คำว่า SDRAM นั้นจะอยู่บนแผงหน่วยความจำแบบ DIMM หรือแผง Module โดยแท้จริงๆ แล้วชิพหน่วยความจำจะมีขาอยู่ทั้งหมด 54 ขา ซึ่งนอกจากตัวชิพแรมแล้ว บนแผงหน่วยความจำนี้ยังมีชิพ EEPROM ที่เก็บข้อมูลของ DIMM และชิพหน่วยความจำ SDRAM อยู่ที่แผง DIMM แต่ตำแหน่งนั้นจะไม่แน่นอน ขึ้นอยู่กับการออกแบบของผู้ผลิตแผงหน่วยความจำแบบ DIMM
หน่วยความจำแบบ PC 66 นั้นอยู่ไม่นานก็ผลิต PC 100 ได้ถือกำเนิดขึ้นมากว่า 2 ปีแล้ว โดยในช่วงเดียวกับที่ทางอินเทลได้พัฒนาระบบ Bus ขนาด 100 MHz ขึ้นมา เราทราบดีแล้วว่าระบบ Bus กับหน่วยความจำจะต้องทำงานร่วมกัน แต่ในช่วงแรกๆนั้น หน่วยความจำแบบใหม่ PC100 นี้ยังมีปัญหากับระบบ Bus 100MHz ของอินเทลอยู่ เนื่องจากการผลิตหน่วยความจำของบรรดาผู้ผลิตต่างๆไม่มีมาตรฐานอยู่ในระดับเดียวกัน ส่งผลให้เกิดปัญหาในการทำงานขึ้นมากมาย
ต่อมา ได้มีการปรับปรุงระบบ Bus และกำหนดมาตรฐานของหน่วยความจำแบบ PC 100 ให้มีความแน่นอนมากขึ้นจนระบบ Bus 100MHz ได้รับการยอมรับอย่างกว้างขวางขึ้นด้วยการเปิดตัวของชิพเซ็ตในตระกูล 440BX ทำให้หน่วยความจำมาตรฐาน 66MHz SDRAM นั้นเริ่มเสื่อมความนิยมแต่การเปลี่ยนมาเป็นมาตรฐาน PC100 นั้นยังคงมีความสับสนระหว่างหน่วยความจำแบบ PC66 กับ PC100 ทำให้ผู้ผลิตต้องทำการสกรีนรหัสที่ระบุถึงคุณสมบัติของชิพหน่วยความจำให้ชัดเจนขึ้นเนื่องจากผู้ผลิตแต่ละรายอ้างความเร็วในการทำงานของชิพที่ต่างกัน เช่น 8ns หรือ 7nsบ้าง ในความเป็นจริงพบว่า ชิพหน่วยความจำแบบ PC100 จะมีความเร็วในระดับ 10ns เท่านั้น ซึ่งหากจะมีชิพหน่วยความจำ PC100 ตัวทำงานได้ในระดับ 8ns ได้ ระบบ Bus ที่ใช้นั้นจะต้องสูงกว่า 100MHz ซึงนั้นหมายความว่ามีการโอเวอร์คล็อกระบบ FSB (ซึ่งถ้าเป็นไปตามข้อกำหนดของชิพหน่วยความจำ PC100 แล้ว การทำงานด้วยความเร็ว 8ns นั้น จะต้องใช้ความเร็วระบบ Bus ที่ 125MHz) อย่างไรก็ตามการที่หน่วยความจำจะสามารถทำงานด้วยความเร็วระดับนั้น ยังขึ้นอยู่กับองค์ประกอบอื่นๆอีกด้วย ที่สำคัญที่สุดก็คือ CAS Latency ของหน่วยความจำ
เวลาและความเร็วของชิพ SDRAM
ความเร็วตามเวลาของหน่วยความจำนั้น จะเป็นตัวอ้างถึงของช่วงเวลาการทำงานใน 1 สัญญาณนาฬิกา ซึ่งสามารถคำนวณได้จากการนำ 1 ไปหารด้วยสัญญาณนาฬิกาของหน่วยความจำทีมีหน่วยเป็น MHz ยกตัวอย่างเช่น ถ้าชิพหน่วยความจำหนึ่งมีความเร็วสัญญาณนาฬิกา 100 MHz ดังนั้นเราสามารถคำนวณได้ว่า
100 MHz = 100*10^6 Hz
100*10^6 Hz = 0.1*10^9 Hz นำค่าที่ได้นี้ไปหาร 1 จะได้ว่า
1/ (0.1*10^9) = 10*10^-9 ซึ่ง10^-9 นี้มีค่า = 1 นาโน (n)
ดังนั้นชิพหน่วยความจำที่มีสัญญาณนาฬิกา 100 MHz จะมีความเร็ว 10 ns ส่วนความเร็วสัญญาณนาฬิกาอื่นๆ ก็สามารถคำนวณได้ตามวิธีนี้เช่นกัน ดังนั้นสำหรับความเร็วสัญญาณนาฬิกาของชิพหน่วยความจำนั้น จึงมีความเร็วของเวลาในการทำงานแตกต่างกันดังนี้
|
SDRAM Frequency |
SDRAM Timing |
|
83 MHz |
12 ns |
|
100 MHz |
10 ns |
|
125 MHz |
8 ns |
|
133 MHz |
7.5 ns |
|
143 MHz |
7 ns |
การตั้งรหัสบนชิพหน่วยความจำ
การกำหนดว่า หน่วยความจำแบบ PC 100 ที่ใช้มีคุณสมบัติตรงตามข้อกำหนดหรือไม่นั้น ในขั้นแรกต้องดูก่อนว่าใครเป็นผู้ผลิต ซึ่งคุณเองจะทราบได้จากสกรีนที่อยู่บนตัวชิพในส่วนหน้ารหัส ซึ่งส่วนใหญ่แล้วจะเป็นตัวอักษรประ 2-3 ตัวแล้วต่อไปจะเป็นส่วนของรุ่นของชิพหน่วยความจำ และท้ายสุดก็จะเป็นส่วนที่ระบุความเร็วของชิพยกตัวอย่าง เช่น
HB52E88EM-B6 ส่วนที่เป็นชื่อของผู้ผลิตชิพหน่วยความจำจะเป็น HB ซึ่งก็คือ Hitachi โดยส่วนที่เป็นรุ่นของชิพคือ 52E88EM และส่วน -B6 นั้นจะเป็นส่วนที่ระบุถึงความเร็วของชิพหน่วยความจำนั้นๆ ซึ่งชิพนี้จะเป็นแบบ PC 100
ถ้าคุณพบว่าหน่วยความจำ DIMM นั้นใช้ชิพหน่วยความจำ SDRAM ที่เป็น PC100 แล้วละก็ แน่นนอนว่าความเร็วของมันก็จะเท่ากับ 10 ns ดังนั้นควรจะใช้งานกับระบบ FSB สูงสุด 100 MHz ตามกฎเกณท์ที่กำหนดไว้ หน่วยความจำแบบนี้จึงไม่เหมาะกับการทำงานระบบ FSB ที่สูงกว่า 100 MHz แน่นอน อย่างไรก็ตามหากมีการ Overclockด้วยการเพิ่ม FSBแล้ว จะทำให้หน่วยความจำนี้ ทำงานด้วยสัญญาณนาฬิกาที่สูงขึ้น เช่น หากเพิ่มความเร็ว FSB ไปที่ 125 MHz จะทำให้หน่วยความจำนี้ทำงานด้วยความเร็วสูงถึง 8ns
การใช้งานหน่วยความจำแบบ PC100 ไม่ค่อยได้รับความนิยมเหมือนกับหน่วยความจำที่เป็นแบบ Pc133 เนื่องจากข้อจำกัดในการใช้ระบบ FSB ดังกล่าว อีกทั้งในปัจจุบันนี้ CPU ที่สูงกว่า 100 MHz ไปเรียบร้อยแล้ว ดังนั้นหน่วยความจำแบบ PC100 จึงมักถูกนำไปใช้กับ CPU ที่ใช้ FSB ต่ำกว่า 100 MHz แทน เช่น Celeron ที่ใช้ระบบ FSB 66 MHz แต่เมื่อ ตุลาคม 2544 ที่ผ่านมา Celeron ตัวใหม่ ได้ออก FSB 100 MHz มาแล้ว หน่วยความจำแบบ PC100 ก็น่าจะถูกแทนที่ด้วยหน่วยความจำ PC 133 อย่างแน่นอน เพราะราคาก็ใกล้เคียงกัน และอีกไม่นาน Mainboard ได้ผลิตชิพตัวใหม่ ที่รองรับหน่วยความจำที่เป็น DDR SDRAM ซึ่งให้ความเร็วและ Bandwidth ที่สูงกว่า
แน่ใจอย่างไรว่าหน่วยความ SDRAM ของคุณเป็น PC 133 !
ส่วนใหญ่เมื่อสั่งซื้อหน่วยความจำแล้วไม่ดูให้ละเอียด เมื่อคนขายยืมยันว่าหน่วยความจำที่ขายตัวนี้เป็น PC133 ซึ่งลูกค้าบางคนก็ดูไม่เป็น อาจจะได้ PC 66 หรือ PC 100 มาก็ได้ เนื่องจากรูปแบบและหน้าตาของหน่วยความจำที่เป็น SDRAM นั้นดูเผินๆ ไม่ได้มีความแตกต่างกันเลย ยกเว้นลักษณะวงจรที่แผงหน่วยความจำ และรหัสที่อยู่บนตัวชิพหน่วยความจำที่ผมจะอ้างถึงต่อไปนี้
ดังนั้นหากต้องการที่จะได้หน่วยความจำที่ถูกต้องตามต้องการ ก็คงจะต้องสังเกตจากสองจุดข้างต้น แต่การตรวจสอบลักษณะของวงจรที่แผงนั้น คงไม่สามารถจะกระทำได้อย่างง่ายๆสิ่งที่น่าจะสะดวกกว่าคือ การดูรหัสที่อยู่บนชิพหน่วยความจำบนแผง Module RAM แต่เนื่องจากผู้ผลิตชิพหน่วยความมีหลายยี่ห้อ เช่น Hitachi , Micron , Hyundai , Sumsong ฯลฯ อีกทั้งผู้ผลิตเหล่านี้ยังมีชิพหน่วยความจำแบ่งย่อยออกไปอีกหลายรุ่น ดังนั้นหากไม่มีสติกเกอร์ระบุคุณสมบัติของชิพหน่วยความจำที่ใช้เราก็แทบจะไม่สามารถทราบถึงคุณสมบัติของหน่วยความจำนั้นเลย แต่ยังมีวิธีคือสังเกตจากรหัสของหน่วยความจำ
ตัวอย่างที่รหัสที่อยู่บนชิพหน่วยความจำ เช่น HY57V651620B TC-75 รหัสนี้เป็นชิพหน่วยความจำของ Hyundai ที่เป็น PC133 ซึ่งนอกจากรหัสแล้วยังระบุถึงคูณสมบัติอื่นๆที่เกี่ยวข้องกับชิพหน่วยความจำนั้นๆ โดยเฉพาะขนาดความจุของชิพ ที่อาจจะเป็น 64 Mbit หรือ 128 Mbit จากรหัสที่ชิพนั้นจะเห็นว่า มีทั้งตัวเลขและตัวอักษร ทั้งหมดมี 11 ตัว โดยแต่ละส่วนนั้นใช้รหัสเป็นตัวอักษรสูงสุด 2 ตัว โดยรหัส HY57V651620B TC-75 จะเริ่มตั้งแต่ตัวอักษร 2 ตัวหน้า ซึ่งสามารถเดาได้ทันทีว่ายี่ห้อ HYUNDAI และเพื่อความสะดวกจะแบ่งดูเป็นตาราง A-K
|
A |
B |
C |
D |
E |
F |
G |
H |
I |
J |
|
K |
|
HY |
57 |
V |
65 |
16 |
2 |
0 |
B |
/ |
TC |
- |
75 |
ความหมายของรหัสชิพหน่วยความจำในแต่ละส่วน
|
ส่วน |
ความหมาย |
รหัส |
ความหมาย |
|
A |
ชื่อผู้ผลิต |
HY |
Hyundai |
|
B |
กลุ่มประเภทหน่วยความจำ |
57 |
SDRAM |
|
C |
โปรเซสเซอร์และการใช้พลังงาน |
V |
CMOS, 3.3 V |
|
D |
ความจุ และ การ Refresh |
65 |
64Mbit , 4k ref |
|
E |
ความกว้างข้อมูล |
16 |
X6 |
|
F |
Bank |
2 |
4Banks |
|
G |
Interface |
0 |
LVTTL |
|
H |
Die Gennaretion |
B |
3 rd Generation |
|
I |
การใช้พลังงาน |
/ |
Normal |
|
J |
Package |
TC |
400Mil TSOP-ll |
|
K |
ความเร็ว |
75 |
7.5ns PC 133 MHz |
ดังนั้น หากต้องการซื้อหน่วยความจำของ Hyundai ก็ให้สั่งเกตรหัส 2 ตัวสุดท้าย จากตัวอย่างจะเห็นว่าเป็น 75 ซึ่งก็จะหมายถึงหน่วยความจำนั้นมีความเร็ว 7.5 ns หรือเป็นแบบ PC 133 แต่ PC133 ก็ไม่ได้มีความเร็วแค่ 7.5 ns นั้นจะมีความเร็ว 10 ns แต่หน่วยความจำแบบ PC 100 นั้นปัจจุบันนี้จะไม่ค่อยได้รับความนิยมนักสำหรับนำมาใช้งาน
อย่างไรก็ตามเราคงไม่สามารถบอกได้ว่าชิพที่เป็น PC 133 ทั้งหมดในตลาดมีรหัสอะไรบ้างเนื่องจากผู้ผลิตแต่ละรายนั้นมีชิพ PC133 เป็นจำนวนมาก โดยเฉพาะผู้ผลิตรายใหญ่ๆ อย่างเช่น Hitachi ก็ใช้รหัสแต่ต่างกันไป ส่งผลให้การดูรหัสที่อยู่บนชิพนั้นจะต้องศึกษาให้เข้าใจดีเสียก่อน
บทสรุป
สำหรับผู้ที่จะซื้อหน่วยความจำแบบ PC 133 มาใช้นั้น หากต้องการความมั่นใจว่าจะไม่โดนต้มหรือย้อมแมวก็คงจะต้องทำการตรวจสอบรหัสชิพของหน่วยความจำจากผู้ผลิตเสียก่อนโดยเข้าไปดูใน Web Sits ของผู้ผลิตหรือสอบถามผู้รู้
ตัวอย่างรหัสชิพหน่วยความจำแบบ PC 133 จากผู้ผลิตรายต่างๆ
|
Samsung |
K4S640432D-TC/L75 |
Hyundai |
HY57V651620BTC-75 |
| |
K4S640832D-TC/L75 |
|
HY57V658020BTC-75 |
|
Hitachi |
HM5264405FTT75 |
Micron |
MT48LC16M4A2-75 |
| |
HM5268405FTT75 |
|
MT48LC8M8A2-75 |
| |
HM5264165FTT75 |
|
MT48LC4M16A2-75 |
|
Winbound |
W986408CH-75 |
Toshiba |
TC59S6416CFT-75 |
| |
W986416CH-75 |
|
TC59S6404CFT-75 |
| 
