โมโตโรล่า แจงรายละเอียด วิธีการเพิ่มความสามารถ ของชิพความจำเฟลช สำหรับใช้เก็บข้อมูลมหาศาล บนอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ ชูคุณสมบัติเด่น เพิ่มประสิทธิภาพ ลดขนาด ขณะที่ประหยัดพลังงาน

สำนักข่าวซีเน็ต รายงานว่า บริษัทโมโตโรล่า จะเสนอรายงาน 4 ฉบับ ซึ่งเป็นรายละเอียดเกี่ยวกับการผลิตหน่วยความจำเฟลชรุ่นใหม่ ที่งาน 2003 ไอทริปเปิลอี นอน-โวลาไทล์ เซมิคอนดักเตอร์ เมโมรี่ เวิร์คชอป ซึ่งจะเริ่มขึ้นในวันที่ 16 กุมภาพันธ์ ที่เมืองมอนเทอเรย์ มลรัฐแคลิฟอร์เนีย นายโกะ-มิน ฉาง ผู้จัดการอุปกรณ์หน่วยความจำในศูนย์หน่วยความจำแบบฝังตัวของแผนกผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์บริษัทโมโตโรล่า เปิดเผยว่า รายงานทั้ง 4 ฉบับจะพุ่งความสนใจที่ 2 แนวทางจัดการปัญหาที่อาจเกิดขึ้นในอนาคต พร้อมกับเพิ่มขีดความสามารถและสมรรถนะของหน่วยความจำความเร็วสูงด้วยการปรับปรุงกระบวนการผลิตในปัจจุบันเพียงเล็กน้อย

วิธีการใหม่ทั้งสอง ซึ่งมีชื่อว่าโซโนส (SONOS-silicon-oxide-nitride-oxide-silicon) และซิลิคอน นาโนคริสตัล (Silicon nanocrystal) นั้น ใช้วัสดุที่แตกต่างกันเพื่อลดปัญหาการกินไฟ โดยโซโนส ใช้ซิลิคอน ไนไทรท์แทนซิลิคอนที่ใช้ในการสร้างประตูลอยของเซลล์หน่วยความจำ ซึ่งจะลดความหนาแน่นของประตูดังกล่าวจาก 1,000 แองสทรอม เหลือ 100 แองสทรอม ขณะที่ลดขนาดและการบริโภคพลังงานไฟฟ้าของเซลล์ความจำโดยไม่กระทบสมรรถนะและความสามารถในการประมวลผล นอกจากนี้ เทคโนโลยีใหม่ ซึ่งสามารถใช้อุปกรณ์ชุดเดิมในการผลิตได้นั้น ยังทำให้เซลล์มีขนาดลดลงราวครึ่งหนึ่งของเซลล์เฟลชในปัจจุบัน ทำให้โมโตโรล่าสามารถเพิ่มความหนาแน่นในชิพเฟลชได้ 2 เท่า หรือสามารถผลิตชิพความจำเฟลชที่มีขนาดเล็กและราคาถูกลงได้ ขณะที่ซิลิคอน นาโนคริสตัล ซึ่งเป็นอีกหนึ่งวิธีนั้น ให้ผลที่เหมือนกันแต่ใช้วัตถุดิบต่างกัน

"พวกเราจะเลือกแนวทางที่มีความเป็นไปได้มากที่สุด และสามารถนำไปใช้งานได้จริง" นายฉาง กล่าว

ปัจจุบัน นอกจากโมโตโรล่าแล้ว บริษัทเอเอ็มดี บริษัทอินเทล และบริษัทเท็กซัส อินสทรูเมนท์ ก็อยู่ระหว่างค้นคว้าเทคโนโลยีใหม่เพื่อนำเข้ามาแทนที่หน่วยความจำเฟลชในปัจจุบัน โดยมีกำลังประมวลผลที่สูงขึ้น แต่กินไฟน้อยลง ทั้งนี้ เทคโนโลยีที่มีความเป็นได้มากที่สุดของเอเอ็มดีและโมโตโรล่า คือ เอ็มแรม (MRAM-magnetic random access memory) ซึ่งทางโมโตโรล่า มีแผนจะเผยโฉมตัวอย่างชิพเอ็มแรมประมาณปลายปีนี้ และจะเปิดตัวชิพโซโนสหรือซิลิคอน นาโนคริสตัลราวปลายปี 2547

ที่มา : กรุงเทพธุรกิจ ฉบับวันที่ 10 กุมภาพันธ์ 2546