ระบุเพิ่มความเร็วประมวลผล 20% ขณะที่ต้นทุนเพิ่ม 1%
อินเทล-ไอบีเอ็ม เตรียมแถลงรายละเอียดเทคโนโลยีการผลิตชิพรูปแบบใหม่ "สเตรน ซิลิคอน" ในงานประชุมผู้ผลิตชิพระดับโลก ชูคุณสมบัติเด่น ช่วยเพิ่มความเร็วประมวลผลขณะที่ประหยัดพลังงานสูง ขณะที่อินเทลเล็งเผยความสำเร็จดัดแปลงใช้ผลิตด้วยต้นทุนต่ำ พร้อมชิงวางตลาดก่อน

สำนักข่าวซีเน็ต รายงานว่า บริษัทไอบีเอ็ม และอินเทล ยักษ์ใหญ่ผู้ผลิตชิพ มีกำหนด เปิดเผยรายละเอียดแผนผลิตชิพด้วยเทคโนโลยี "สเตรน ซิลิคอน" (strained silicon) พร้อมกันในงานประชุมผู้ผลิตอุปกรณ์อิเล็กตรอนระหว่างประเทศ (International Electron Devices Meeting - IEDM) ในสัปดาห์นี้ ระบุช่วยให้ชิพมีความเร็วประมวลผลสูงขึ้น ขณะที่ประหยัดพลังงานมากขึ้น งานดังกล่าว ถือเป็นงานประชุมครั้งใหญ่สำหรับอุตสาหกรรมบริษัทออกแบบเซมิคอนดักเตอร์ โดยมีผู้ผลิตชิพจำนวนมากเข้าร่วม ซึ่งในปีนี้ นายแอนดี้ โกรฟ ประธานบริษัทอินเทล รวมทั้งตัวแทนจากบริษัทโซนี่ บริษัทซัมซุง นักวิชาการจากมหาวิทยาลัยเพนซิลวาเนีย และเอ็มไอที จะเข้าร่วมกล่าวคำปราศรัยด้วย

นักวิเคราะห์ กล่าวว่า เทคโนโลยีการพัฒนาชิพแต่เดิมนั้น จะใช้วิธีผลิตทรานซิสเตอร์ให้มีขนาดเล็กลง เพื่อให้สามารถบรรจุลงบนชิพได้มากขึ้น ซึ่งจะทำให้ชิพใช้พลังงานมากขึ้นเช่นกัน นายเบอร์นาร์ด เมเยอร์สัน หัวหน้าฝ่ายเทคโนโลยีของไอบีเอ็ม เปิดเผยว่า เทคโนโลยี "สเตรน ซิลิคอน" จะอาศัยเทคนิคการออกแบบทรานซิสเตอร์ และนวัตกรรมด้านวัตถุดิบแทน โดยการจัดวางอะตอมซิลิคอนในทรานซิสเตอร์ ให้มีระยะห่างเพิ่มขึ้นเล็กน้อย

เพิ่มประสิทธิภาพ-กินไฟน้อย

วิธีการดังกล่าว จะช่วยลดปฏิกิริยาของอะตอมที่อาจแทรกแซงการเคลื่อนตัวของอิเล็กตรอน ทำให้ชิพมีกำลังประมวลผลมากขึ้น ขณะที่กินพลังงานน้อยลง โดยผู้เชี่ยวชาญ คาดว่า จะสามารถเพิ่มประสิทธิภาพชิพประมวลผลได้ราว 20% นอกจากนี้ แหล่งข่าว คาดว่า ในงานประชุมครั้งนี้ จะมีการเปิดตัวเทคนิคการผลิตชิพอีกรูปแบบหนึ่ง ซึ่งอาศัยการเพิ่มชั้นซิลิคอน-เจอร์แมเนียม ลงไปในทรานซิสเตอร์ เทคโนโลยีทั้งสองจะมีความคล้ายคลึงกันทางเทคนิค และสามารถใช้ผลิตชิพตัวเดียวกันได้

ทั้งนี้ ไอบีเอ็มและอินเทล ต่างแข่งขันกันเป็นผู้นำในอุตสาหกรรมการผลิตชิพมาเป็นเวลานานแล้ว โดยไอบีเอ็ม อ้างว่า ตนเป็นผู้คิดค้นนวัตกรรมการออกแบบเซมิคอนดักเตอร์จำนวนมาก อาทิ การใช้ลวดทองแดงในการเชื่อมวงจรแทนลวดอะลูมิเนียม ขณะที่อินเทลอ้างว่า ตนมีอัตราจำหน่ายชิพสูงกว่าไอบีเอ็ม นักวิจัยไอบีเอ็ม อธิบายว่า ตนมีแผนรายงานผลการวิจัยเทคโนโลยีผลิตทรานซิสเตอร์ "ดับเบิลเกต" (double-gate transistor) โดยใช้วิธีที่เรียกว่า "ฟิน ฟิลด์ เอฟเฟคท์ ทรานซิสเตอร์" (Fin Field Effect Transistor - Fin-Fet) ซึ่งคาดว่าทรานซิสเตอร์เหล่านี้ จะสามารถควบคุมการใช้พลังงานของชิพได้ในอนาคต รวมทั้งยังมีแผนเปิดตัวรายละเอียดเทคนิคการออกแบบวงจร 3 มิติ ที่อาศัยการวางโครงสร้างทรานซิสเตอร์มากกว่า 2 ชั้นขึ้นไปด้วย ขณะที่ นายมาร์ค บอร์ นักวิจัยบริษัทอินเทล กล่าวว่า ความสำเร็จครั้งสำคัญของบริษัทคือสามารถใช้เทคนิค "สเตรน ซิลิคอน" มาใช้ผลิตชิพโดยพัฒนาให้มีต้นทุนต่ำได้ พร้อมเผยว่า อินเทลจะเปิดตัวเทคโนโลยีดังกล่าวในปีหน้าด้วยชิพ "เพรสค็อต" (Prescott) ซึ่งคาดว่าจะช่วยให้บริษัทมีต้นทุนการผลิตชิพเพิ่มขึ้นเพียง 1 หรือ 2% ขณะที่ชิพจะมีความเร็วประมวลผลเพิ่มขึ้นถึง 10-20%

อย่างไรก็ตาม ผู้เชี่ยวชาญ คาดว่า ไอบีเอ็มจะวางตลาดชิพสเตรน ซิลิคอน ช้ากว่าอินเทล โดยทางบริษัทเคยกำหนดแผนเปิดตัวไว้ในปี 2546 นอกจากนี้ ในช่วงที่ผ่านมา ไอบีเอ็มได้ตัดสินใจพัฒนาชิพที่มีความเร็วในระดับดังกล่าว โดยอาศัยเทคโนโลยีในปัจจุบันแทน นายเจฟฟ์ เวลเซอร์ ผู้จัดการโครงการไมโครอิเล็กทรอนิกส์บริษัทไอบีเอ็ม เปิดเผยว่า ทางบริษัทจะหันมาเปิดตัวชิพสเตรน ซิลิคอน โดยใช้เทคโนโลยีการผลิตขนาด 65 นาโนเมตร ซึ่งทำงานได้เทียบเท่ากับชิพ 2 ตัวในอีก 3 ปีข้างหน้า

ที่มา : กรุงเทพธุรกิจ ฉบับวันที่ 9 ธันวาคม 2545